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| 真空腔 | 18″ 直径的球形腔体 8″CF 窗口 6.75″CF PED 源窗口 3 个6″CF 窗 额外的2.75″ 与1.33″CF 窗口 |
PED源 | 电子枪能量：8-20 keV 脉冲能量：最大能量800 mJ 最小能量100 mJ 工艺气体压强: 3-20 mTorr 工艺气体: 氧气，氮气，氩气 脉冲能量变化: ±10% 脉冲宽度: 100 ns 最大重复率: 10Hz at 15kV,5Hz at 20kV 最小束截面: 8 x10-2 cm² 最大能量密度 :1.3 x 108 W/cm² Z 向对准范围: 50 mm XY 向对准范伟: +/- 20 mm 火花塞寿命 ~3×107 脉冲 |
| 基片加热器 | 最大直径2″，最小10x10mm² 最高温度：850 ℃ 基片旋转：1-30 RPM（360° 旋转） 基片加热器：兼容1 个大气压的氧压 加热器温度通过可编程的PID 控制 |
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| 多靶材旋转台 | 6 个1″ 的靶材或3 个2″ 的靶材 靶材旋转：360° 连续旋转(1-20 RPM) 靶材栅格式扫描 独特的靶材栅格化烧蚀方案 靶材索引，镀多层薄膜 靶材高度可调 靶材挡板避免靶材间的交叉污染 提供连续组成扩展/ 组合PED 的能力 |
PED系统软件 | Windows 7, LabVIEW 2013 控制基片加热台 控制靶材公转台 控制真空泵 控制质量流量计 外部的PED 源触发器 可选的工艺自动化选项 |
| 真空泵 | 干泵，涡轮分子泵 本底真空压强：标准配置8 x 10-8 Torr 涡轮分子泵转速由软件控制 |
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