T356 半导体工艺之–分子束外延 MBE

昨天写MOCVD，今天聊聊分子束外延Molecular beam epitaxy，MBE。
那不用说了，MOCVD也好，MBE也好，都是制作外延片。他俩有啥不同。MBE有点像国华曾经玩过的游戏“打泡泡”

在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上。

超真空环境，要维持起来都是钱。
一颗颗原子喷射，外延精度控制的好呗。
一颗颗干活，忒花时间。
看看他俩的区别，MBE做的精细，慢，非常慢，烧钱； MOCVD一次做很多，还很快。

他俩的速度差异：

科学家给的分子束外延MBE的功能图。

实物图：

MBE的特点
（1）慢  ，速率极慢，大约1um/小时，相当于每秒生长一个单原子层，有利于实现精确控制厚度、结构与成分。
（2）MBE不是烧炉子，外延时温度低，就没有热膨胀引入的晶格失配。
（3）MBE超高真空中进行的，虽然很费钱，可是很干净，质量极好，有利于科学研究.
对于MBE，国华总有一种吃三奶奶家面条的揪心。
小时候难得吃一次细粮，我家奶奶三下五除二就擀好面条，呼啦啦下锅就能吃饭。
我家隔壁三奶奶，是个大家闺秀型的奶奶，慢慢的仔细的揉面，面皮擀的平平整整的，面条切的又细又匀，配上切好的洗黄瓜丝菜码，两头蒜，一两醋，滴几滴香油，吃起来相当的享受。
就是经常的，中午放学后，三奶奶家孙女儿饿的恨不得去挠墙，眼睁睁瞅着国华呼哧呼哧的吃着五大三组的面条子。
MBE的设备钱，和MOCVD差不多，可是MBE一次只做一片，MOCVD一炉子烧好几片，生长速度是MBE的5倍，n*5，这是几十倍吧。
我老师问 “国华，你是老板，会选哪个设备”，吼~~，我是老板，就不写字了，高薪聘请俩有颜值有墨水的帅哥替我写。