等离子刻蚀机

“等离子体刻蚀机”一般是指“等离子刻蚀机”

图片[1]-等离子刻蚀机 - 沐易-沐易

等离子刻蚀机,又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀,是干法刻蚀中最常见的一种形式,其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体,由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体,从而形成了等离子或离子,电离气体原子通过电场加速时,会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲,等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应,反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。近期的发展是在反应室的内部安装成搁架形式,这种设计的是富有弹性的,用户可以移去架子来配置合适的等离子体的蚀刻方法:反应性等离子体(RIE),顺流等离子体(downstream),直接等离子体(direction plasma)。

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等离子刻蚀机

中文名
等离子刻蚀机 展开
别 名
离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机 展开
新品功能
FA2000主要用于微电子、光电子 展开
工艺频率
30 kHz和13.56 MHz射频电源 展开
外文名
Plasma etching machine 展开
最新型号
RIE反应离子刻蚀机-FA2000 展开
蚀刻方法
反应性等离子体,顺流等离子体 展开
重 量
约45公斤 展开

1等离子刻蚀机简介:

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等离子刻蚀机图册等离子刻蚀机图册(3)离子刻蚀机,又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀,是干法刻蚀中最常见的一种形式,其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体,由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体,从而形成了等离子或离子,电离气体原子通过电场加速时,会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。

等离子刻蚀反应

2等离子刻蚀机的应用:

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等离子体处理可应用于所有的基材,甚至复杂的几何构形都可以进行等离子体活化、等离子体清洗,等离子体镀膜也毫无问题。等离子体处理时的热负荷及机械负荷都很低,因此,低压等离子体也能处理敏感性材料。等离子刻蚀机的典型应用包括:

等离子体清除浮渣

光阻材料剥离

表面处理

各向异性和各向同性等离子刻蚀机失效分析应用材料改性

包装清洗

钝化层蚀刻

聚亚酰胺蚀刻

增强粘接力

生物医学应用

聚合反应

混合物清洗

预结合清洗

3湿法刻蚀相对于等离子刻蚀的缺点:

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1. 硅片水平运行,机片高(等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干,硅片受冲击小);

2. 下料吸笔易污染硅片(等离子刻蚀去PSG后甩干);

3. 传动滚抽易变形(PVDF,PP材质且水平放置易变形);

4. 成本高(化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加)。

此外,有些等离子刻蚀机,如SCE等离子刻蚀机还具备“绿色”优势:无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式:

直接模式——基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上,以获得最大的平面刻蚀效果。

定向模式——需要非等向性刻蚀(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。

下游模式——基片可以放置在不带电托架上,以便取得微小的等离子体效果。

定制模式——当平面刻蚀配置不过理想时,特制的电极配置可以提供。

4等离子刻蚀工艺——装片

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等离子体系统效应的过程转换成材料的蚀刻工艺。在待刻蚀硅片的两边,分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板,叠放整齐,用夹具夹紧,确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。将夹具平稳放入反应室的支架上,关好反应室的盖子。

等离子刻蚀检验原理为冷热探针法,具体方法如下:

· 热探针和N型半导体接触时,传导电子将流向温度较低的区域,使得热探针处电子缺少,因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。

· 同样道理,P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。

· 此电势差可以用简单的微伏表测量。

· 热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围,也可以用小型的电烙铁。冷热探针法

5等离子刻蚀检验操作及判断:

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1. 确认万用表工作正常,量程置于200mV。

2.冷探针连接电压表的正电极,热探针与电压表的负极相连。

3.用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点,电压表显示这两点间的电压为正值,说明导电类型为P型,刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。

4.如果经过检验,任何一个边沿没有刻蚀合格,则这一批硅片需要重新装片,进行刻蚀。

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