目前工业上使用的是MOCVD多还是MBE多，二者各有何优缺点呢？

目前生长LED、激光等固体发光源用的都是MOCVD，适合量产，成本可控；MBE一般在科研单位用的比较多，不适合大批量量产；但是在生长探测器材料的时候需要生长本征材料，一般MBE生长出来的本征会比MOCVD的要好，比如GaAs，InGaAs，InP的本征材料，究其原因是MOCVD用的是有机源，在分解生长的时候不可避免的带入杂质，影响本征材料的Hall参数；顺便一提，LPE生长出的本征材料特性比MBE的还要好，早年国内从日本进口了10几台LPE，但会用并用好的没有一个，所以没有在国内铺开，与此同时，日本人发现LPE的潜在价值，又将卖给国内的LPE高价再回收了，所以国内已经没有LPE了，现在，高品质的激光探测器一般都出自日本。

氮化镓在LED制程上是应用在LPE制程还是MBE、MOCVD制程 

一般看到的文献里面氮化镓使用MOCVD的比较多，也有使用MBE的~

• 飞扬浪子CVD发生化学反应
  MBE，分子束外延，包含了两个概念，分子束和外延生长
  分子束的获得方式，不能通过简单的加热获得 ，多数需要等离子体或者其他高能形式得到。
  外延生长，单晶基底上结晶，
• qfw_681、都是薄膜沉积或薄膜生长。
  2、MBE不属于化学反应。CVD是。
  3、MBE是在单晶衬底上外延生长；CVD也可以进行单晶生长，也可以多晶、非晶生长，依据衬底和生长条件的不同而不同。